BOB体育彩票器虽然经常被忽视,但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把
IGBT的驱动电路必须具备两种功能:一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离;二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
本文介绍了在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时,您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂,具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 发射极的欠压 (UVLO) 锁定参考等功能。
近期,上海瞻芯电子科技有限公司的比邻驱动(NextDrive)芯片IVCR1412正式量产,这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能,且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片,可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中,从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度,以便操作功率器件。这些栅极驱动器的隔离特性允许高侧和低侧器件驱动,并且能够在使用合适的器件时提供安全栅。示例应用程序如图 1 所示。VDD1和 V
瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供适当栅极信号的栅极驱动器具有提供短路保护的功能并影响开关速度。然而,在选择栅极驱动器时,某些特性至关重要。
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栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等,因为如MOSFET有个栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。